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二号站平台测速台积电确认苹果 M1 Ultra 采用 InFO-LSI 封装,将两片 M1 Max 连接到一起

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  4 月 28 日消息,在 M1 Ultra 官方发布会上,苹果介绍二号站官网测速中心 Mac Studio 中的 M1 Ultra 时表示,这是最强大的定制 Apple Silicon,它使用 UltraFusion 芯片对芯片互连技术,从而实现了 2.5TB / s 的带宽。

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  从介绍来看,这涉及到两个 M1 Max 芯片协同工作的问题。台积电现已证实,苹果 M1 Ultra 芯片二号站官网测速中心实并未采用传统的 CoWoS-S 2.5D 封装生产,而是使用了本地的芯片互连 (LSI) 的集成 InFO 扇出型晶圆级封裝(Integrated Fan-out)芯片。

  据了解,苹果最新的 M1 系列产品基于台积电 5nm 工艺技术,但之前有媒体称二号站官网测速中心通用采用了台积电 CoWoS-S(chip-on-wafer-on substrate with silicon interposer)封装工艺。当然,台积电在使用二号站官网测速中心 CoWoS 封装平台为网络 IC 和超大 AI 芯片等多种芯片解决方案供应商提供服务方面拥有丰富经验,而且台积电2号站测速地址一直在使用先进工艺和 InFO_PoP 技术制造 iPhone 芯片。

  实际上有很多种可以将芯片组桥接进行相互通信,但台积电的 InFO_LI 可以降低成本。半导体封装工程专业人士 Tom Wassick 放出了一张台积电在 3D IC 和异构集成国际研讨会上呈现的 PPT,阐明了二号站官网测速中心封装方法,显示苹果这次使用了 InFO_LI 技术。

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  总的来说,CoWoS-S 是一种非常不错的方法,但要比 InFO_LI 更贵。除了这一点之外,Apple 没必要选择 CoWoS-S,毕竟 M1 Ultra 只需要完成两个 M1 Max 芯片的相互通信,而所有二号站官网测速中心他组件,包括统一的 RAM、GPU 和二号站官网测速中心他组件都是芯片中的一部分,因此,除非 M1 Ultra 改用信新型多芯片设计和更快的内存(如 HBM),否则 InFO_LI 对 Apple 来说就是更好的选择。

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  具体而言,InFO-LSI 技术需要将一个本地 LSI (silicon interconnection) 与一个重分布层 RDL (redistribution layer) 相关联。与 CoWoS-S 相比,InFO-LSI 的主要优势在于二号站官网测速中心较低的成本。

  CoWos-S 需要用到大量完全由硅制成的大型中介层,因此成本非常昂贵;但 InFO_LI 凑合着用了本地化的芯片互连技术,总的来说没什么太大影响。

  值得一提的是,彭博社 Mark Gurman 称,苹果新一代 Mac Pro 已经准备就绪,它将搭载一款更强的芯片,也就是 M1 Ultra 的“继任者”。据称,这款产品的代号为 J180,此前的信息暗示,这款产品将采用台积电的下一代 4nm 工艺量产,而不是目前的 5nm 工艺。

  有传言称,新的苹果芯片将具有两个 M1 Ultra 相结合(4 个 M1 Max)。Gurman 早些时候表示,这款工作站将采用定制的芯片,最多可支持 40 核 CPU 和 128 核 GPU,性能值得期待,定价同样美丽。

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